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半导体激光器的主要参数

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半导体激光器的主要参数

发布日期:2019-05-28 09:43:43 作者: 点击:

半导体激光器主要参数:

  波长nm:激光器工作波长,例如405nm、532nm、635nm650nm、670nm、690nm、780nm、810nm、860nm、980nm

  阈值电流Ith:激光二极管开始产生激光振荡的电流,对小功率激光器而言其值约在数十毫安。

  工作电流Iop:激光二极管达到额定输出功率时的驱动电流,此值对于设计调试激光驱动电路较重要。

  垂直发散角θ⊥:激光二极管的发光带在与PN结垂直方向张开的角度,一般在15°~40°左右。

  水平发散角θ∥:激光二极管的发光带在与PN结平行方向张开的角度,一般在6°~ 10°左右。

  监控电流Im :激光二极管在额定输出功率时在PIN管上流过的电流。

  半导体激光器主要向两个方向发展:一类是以传递信息为主的信息型激光器;另一类是以提高光功率为主的功率型激光器。在泵浦固体激光器等应用的推动下,高功率半导体激光器取得了突破性进展,其标志是半导体激光器的输出功率显著增加,国外千瓦级的高功率半导体激光器已经商品化,国内样品器件输出已达到600W。未来,半导体激光器的发展趋势主要在高速宽激光器、大功率激光器、短波长激光器、中红外激光器等方面。


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